RFN10NS8DTL Rohm Semiconductor
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Technische Details RFN10NS8DTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RFN10NS8DTL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 2.1 V, 40 ns, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263S, Durchlassstoßstrom: 60A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 2.1V, Sperrverzögerungszeit: 40ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RFN10NS8DTL nach Preis ab 1.31 EUR bis 5.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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RFN10NS8DTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: DIODE ARRAY GP 800V 10A LPDSPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: LPDS Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
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RFN10NS8DTL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODE-RECTIFIER |
auf Bestellung 1785 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RFN10NS8DTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Diode Switching 800V 10A 3-Pin(2+Tab) LPDS T/R |
auf Bestellung 1804 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RFN10NS8DTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RFN10NS8DTL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 2.1 V, 40 ns tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263S Durchlassstoßstrom: 60A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2.1V Sperrverzögerungszeit: 40ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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RFN10NS8DTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RFN10NS8DTL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 2.1 V, 40 ns tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263S Durchlassstoßstrom: 60A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2.1V Sperrverzögerungszeit: 40ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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RFN10NS8DTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ARRAY GP 800V 10A LPDS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: LPDS Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
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