RFN10NS6SFHTL Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorRectifier Diode Switching 600V 10A 50ns Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDS T/R
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 115+ | 1.35 EUR |
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| 200+ | 0.83 EUR |
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Technische Details RFN10NS6SFHTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RFN10NS6SFHTL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 10 A, Einfach, 1.55 V, 50 ns, 100 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Durchlassstoßstrom: 100A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 1.55V, Sperrverzögerungszeit: 50ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote RFN10NS6SFHTL nach Preis ab 0.97 EUR bis 2.46 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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RFN10NS6SFHTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 600V 10A 50ns Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDS T/R |
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RFN10NS6SFHTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 600V 10A 50ns Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDS T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RFN10NS6SFHTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 169pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: LPDS Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 860 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RFN10NS6SFHTL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Recvry 600V Vr TO-263S 10A Io |
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RFN10NS6SFHTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RFN10NS6SFHTL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 10 A, Einfach, 1.55 V, 50 ns, 100 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.55V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RFN10NS6SFHTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RFN10NS6SFHTL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 10 A, Einfach, 1.55 V, 50 ns, 100 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.55V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
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RFN10NS6SFHTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 169pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: LPDS Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 |
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