RFD8P05+SM
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Technische Details RFD8P05+SM
Description: MOSFET P-CH 50V 8A TO252AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Obsolete, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V.
Weitere Produktangebote RFD8P05+SM
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| RFD8P05SM | Hersteller : HARRIS |
 2000 TO-252 |
auf Bestellung 1920 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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RFD8P05SM | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 50V 8A TO252AA Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 8A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V |
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