RD3U060CNTL1 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 25 V
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Technische Details RD3U060CNTL1 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 250V 6A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-252, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote RD3U060CNTL1 nach Preis ab 0.97 EUR bis 2.46 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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RD3U060CNTL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 250V 6A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3403 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RD3U060CNTL1 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET Nch 250V 6A TO-252 (DPAK) |
auf Bestellung 2215 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RD3U060CNTL1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RD3U060CNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 6 A, 0.41 ohm, TO-252, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250 Dauer-Drainstrom Id: 6 Qualifikation: - MSL: - Verlustleistung Pd: 52 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 52 Bauform - Transistor: TO-252 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RD3U060CNTL1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RD3U060CNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 6 A, 0.41 ohm, TO-252, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250 Dauer-Drainstrom Id: 6 Qualifikation: - MSL: - Verlustleistung Pd: 52 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 52 Bauform - Transistor: TO-252 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |