Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > RD3P200SNTL1
RD3P200SNTL1

RD3P200SNTL1 Rohm Semiconductor


datasheet?p=RD3P200SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details RD3P200SNTL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RD3P200SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote RD3P200SNTL1 nach Preis ab 1.72 EUR bis 3.77 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
RD3P200SNTL1 RD3P200SNTL1 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=RD3P200SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET RD3P200SN is a Power MOSFET with Low on - resistance., suitable for Switching.
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+3.77 EUR
10+ 3.38 EUR
100+ 2.71 EUR
500+ 2.24 EUR
1000+ 1.85 EUR
2500+ 1.72 EUR
RD3P200SNTL1 RD3P200SNTL1 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3P200SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
auf Bestellung 6980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+3.77 EUR
10+ 3.38 EUR
100+ 2.72 EUR
500+ 2.23 EUR
1000+ 1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 5
RD3P200SNTL1 RD3P200SNTL1 Hersteller : ROHM rd3p200sntl-e.pdf Description: ROHM - RD3P200SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3P200SNTL1 RD3P200SNTL1 Hersteller : ROHM datasheet?p=RD3P200SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RD3P200SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3P200SNTL1 Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RD3P200SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RD3P200SNTL1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar