RD3P100SNTL1 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 10A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details RD3P100SNTL1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RD3P100SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RD3P100SNTL1 nach Preis ab 0.93 EUR bis 2.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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RD3P100SNTL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
auf Bestellung 16786 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RD3P100SNTL1 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET Nch 100V 10A TO-252 (DPAK) |
auf Bestellung 1115 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RD3P100SNTL1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RD3P100SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3557 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3P100SNTL1 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 20A; 20W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 20W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 147mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| RD3P100SNTL1 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 20A; 20W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 20W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 147mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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