R6576KNZ4C13 ROHM Semiconductor
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Technische Details R6576KNZ4C13 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - R6576KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 76 A, 0.04 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 735W, Bauform - Transistor: TO-247G, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: R6xxxKNx, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote R6576KNZ4C13 nach Preis ab 19.78 EUR bis 28.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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R6576KNZ4C13 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: 650V 76A TO-247, HIGH-SPEED SWIT |
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R6576KNZ4C13 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R6576KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 76 A, 0.04 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 735W Bauform - Transistor: TO-247G Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: R6xxxKNx productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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