R6524KNZ4C13 ROHM Semiconductor
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Technische Details R6524KNZ4C13 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - R6524KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.16 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 245W, Bauform - Transistor: TO-247G, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: R6xxxKNx, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote R6524KNZ4C13 nach Preis ab 6.08 EUR bis 11.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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R6524KNZ4C13 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: 650V 24A TO-247, HIGH-SPEED SWIT |
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R6524KNZ4C13 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R6524KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.16 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: TO-247G Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: R6xxxKNx productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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| R6524KNZ4C13 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 72A; 245W; TO247 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A On-state resistance: 0.34Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 245W Kind of package: tube Gate charge: 45nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 72A Mounting: THT Case: TO247 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| R6524KNZ4C13 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 72A; 245W; TO247 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A On-state resistance: 0.34Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 245W Kind of package: tube Gate charge: 45nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 72A Mounting: THT Case: TO247 |
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