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R6520KNXC7G

R6520KNXC7G Rohm Semiconductor

r6520knx-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
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Technische Details R6520KNXC7G Rohm Semiconductor

Description: 650V 20A TO-220FM, HIGH-SPEED SW, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA, Supplier Device Package: TO-220FM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V.

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R6520KNXC7G R6520KNXC7G Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=R6520KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET 650V POWER MOSFET
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R6520KNXC7G R6520KNXC7G Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=R6520KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 650V 20A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
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