R6076KNZ4C13 Rohm Semiconductor
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Technische Details R6076KNZ4C13 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6076KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 735W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote R6076KNZ4C13 nach Preis ab 28.53 EUR bis 36.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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R6076KNZ4C13 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
 MOSFET Nch 600V 76A Power MOSFET. R6076KNZ4 is a power MOSFET for switching applications. |
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R6076KNZ4C13 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R6076KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 735W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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| R6076KNZ4C13 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
R6076KNZ4C13 THT N channel transistors |
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