R6055VNZ4C13 Rohm Semiconductor
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Technische Details R6055VNZ4C13 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6055VNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 55 A, 0.059 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 543, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 543, Bauform - Transistor: TO-247, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.059, Rds(on)-Prüfspannung: 15, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote R6055VNZ4C13 nach Preis ab 12.76 EUR bis 18.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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R6055VNZ4C13 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
 MOSFET NCH 600V 59MOHM POWER MOSFET |
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R6055VNZ4C13 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: 600V 55A TO-247, PRESTOMOS WITH Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 16A, 15V Power Dissipation (Max): 543W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1.5mA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 100 V |
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R6055VNZ4C13 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R6055VNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 55 A, 0.059 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 543 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 543 Bauform - Transistor: TO-247 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PW Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.059 Rds(on)-Prüfspannung: 15 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |