R6049YNZ4C13 ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 49A, TO-247G, Power MOSFET: R6049YNZ4 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
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Technische Details R6049YNZ4C13 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - R6049YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 49 A, 0.082 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 49A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 448W, Bauform - Transistor: TO-247G, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote R6049YNZ4C13 nach Preis ab 6.71 EUR bis 10.31 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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R6049YNZ4C13 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 600V 49A, TO-247G, POWER MOS Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 11A, 12V Power Dissipation (Max): 448W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.9mA Supplier Device Package: TO-247G Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 100 V |
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R6049YNZ4C13 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R6049YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 49 A, 0.082 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 448W Bauform - Transistor: TO-247G Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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