R6025JNZC17 Rohm Semiconductor
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Technische Details R6025JNZC17 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6025JNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.14 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 85W, Bauform - Transistor: TO-3PF, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote R6025JNZC17 nach Preis ab 6.12 EUR bis 12.63 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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R6025JNZC17 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PFPackaging: Bag Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V |
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R6025JNZC17 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 600V 25A TO-3PF, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode |
auf Bestellung 289 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R6025JNZC17 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6025JNZC17 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R6025JNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.14 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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