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R6024VNXC7G Rohm Semiconductor
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Technische Details R6024VNXC7G Rohm Semiconductor
Description: 600V 13A TO-220FM, PRESTOMOS WIT, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 153mOhm @ 6A, 15V, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 700µA, Supplier Device Package: TO-220FM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V.
Weitere Produktangebote R6024VNXC7G nach Preis ab 3.65 EUR bis 5.49 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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R6024VNXC7G | Hersteller : ROHM Semiconductor |
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R6024VNXC7G | Hersteller : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 153mOhm @ 6A, 15V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 700µA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V |
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R6024VNXC7G | Hersteller : ROHM |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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R6024VNXC7G | Hersteller : Rohm Semiconductor |
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