R6024VNX3C16 Rohm Semiconductor
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Technische Details R6024VNX3C16 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6024VNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.127 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 245W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote R6024VNX3C16 nach Preis ab 3.21 EUR bis 8.89 EUR
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R6024VNX3C16 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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R6024VNX3C16 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: 600V 24A TO-220AB, PRESTOMOS WIT Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 153mOhm @ 6A, 15V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 700µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V |
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R6024VNX3C16 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 600V 24A HIGH-SPEED DIODE |
auf Bestellung 2015 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R6024VNX3C16 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R6024VNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.127 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |