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R6022YNXC7G

R6022YNXC7G Rohm Semiconductor

r6022ynxc7g-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
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Technische Details R6022YNXC7G Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6022YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.137 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.137ohm, SVHC: To Be Advised.

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R6022YNXC7G R6022YNXC7G Hersteller : Rohm Semiconductor r6022ynxc7g-e.pdf Description: NCH 600V 13A, TO-220FM, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 6.5A, 12V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.8mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
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R6022YNXC7G R6022YNXC7G Hersteller : ROHM Semiconductor r6022ynxc7g-e.pdf MOSFETs TO220 650V 66A N-CH MOSFET
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250+ 4.52 EUR
500+ 4.29 EUR
1000+ 3.63 EUR
R6022YNXC7G R6022YNXC7G Hersteller : Rohm Semiconductor r6022ynxc7g-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
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20+7.85 EUR
31+ 4.83 EUR
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100+ 3.38 EUR
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R6022YNXC7G R6022YNXC7G Hersteller : ROHM r6022ynxc7g-e.pdf Description: ROHM - R6022YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.137 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.137ohm
SVHC: To Be Advised
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