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R6020PNJFRATL Rohm Semiconductor
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Technische Details R6020PNJFRATL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6020PNJFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 304W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 304W, Bauform - Transistor: TO-263S, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote R6020PNJFRATL nach Preis ab 5.77 EUR bis 10.19 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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R6020PNJFRATL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 304W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 556 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R6020PNJFRATL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
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auf Bestellung 929 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R6020PNJFRATL | Hersteller : ROHM |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 304W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1915 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6020PNJFRATL | Hersteller : ROHM |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 304W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 304W Bauform - Transistor: TO-263S Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1915 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6020PNJFRATL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 304W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 304W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 370mΩ Mounting: SMD Gate charge: 65nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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R6020PNJFRATL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 304W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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R6020PNJFRATL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 304W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 304W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 370mΩ Mounting: SMD Gate charge: 65nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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