R6020ENJTL Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 1000+ | 2.24 EUR |
| 2000+ | 2.11 EUR |
| 5000+ | 2.03 EUR |
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Technische Details R6020ENJTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6020ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 231W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote R6020ENJTL nach Preis ab 2.25 EUR bis 6.05 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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R6020ENJTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6020ENJTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6020ENJTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
auf Bestellung 5841 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R6020ENJTL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET |
auf Bestellung 1425 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R6020ENJTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
auf Bestellung 415 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6020ENJTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R6020ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 231W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6020ENJTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R6020ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 231W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6020ENJTL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 231W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 231W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| R6020ENJTL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 231W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 231W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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