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R6010YNXC7G

R6010YNXC7G Rohm Semiconductor

r6010ynxc7g-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
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Technische Details R6010YNXC7G Rohm Semiconductor

Description: 600V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 4.2A, 12V, Power Dissipation (Max): 47W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.2mA, Supplier Device Package: TO-220FM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V.

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R6010YNXC7G R6010YNXC7G Hersteller : Rohm Semiconductor r6010ynxc7g-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
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R6010YNXC7G R6010YNXC7G Hersteller : Rohm Semiconductor r6010ynxc7g-e.pdf Description: 600V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 4.2A, 12V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
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R6010YNXC7G R6010YNXC7G Hersteller : ROHM Semiconductor r6010ynxc7g-e.pdf MOSFETs 600V 7A TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET
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