R6009KNJTL Rohm Semiconductor
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Technische Details R6009KNJTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6009KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.5 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: TO-263S, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote R6009KNJTL nach Preis ab 1.43 EUR bis 3.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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R6009KNJTL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
 MOSFET Nch 600V 9A Si MOSFET |
auf Bestellung 353 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R6009KNJTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V |
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R6009KNJTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R6009KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.5 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 902 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6009KNJTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6009KNJTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R6009KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.5 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 902 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6009KNJTL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 27A; 94W; D2PAK Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 600V Drain current: 9A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 94W Polarisation: unipolar Gate charge: 16.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 27A Mounting: SMD Case: D2PAK Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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R6009KNJTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V |
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| R6009KNJTL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 27A; 94W; D2PAK Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 600V Drain current: 9A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 94W Polarisation: unipolar Gate charge: 16.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 27A Mounting: SMD Case: D2PAK |
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