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R1RW0416DSB-0PI#D1

R1RW0416DSB-0PI#D1 Renesas Electronics

REN_r10ds0283ej0100_memory_a_DST_20191118-2930967.pdf Hersteller: Renesas Electronics
SRAM ASYNC. 4M FAST SRAM 256KX16 10NS PB-FREE
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Technische Details R1RW0416DSB-0PI#D1 Renesas Electronics

Description: ASYNC. 4M FAST SRAM 256KX16 10NS, Packaging: Tray, Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 44-TSOP II, Write Cycle Time - Word, Page: 10ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 10 ns, Memory Organization: 256K x 16.

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R1RW0416DSB-0PI#D1 R1RW0416DSB-0PI#D1 Hersteller : Renesas Electronics Corporation r1rw0416d-series-datasheet?r=498481 Description: ASYNC. 4M FAST SRAM 256KX16 10NS
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
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