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R1LV5256ESA-5SI#B1

R1LV5256ESA-5SI#B1 Renesas Electronics


REN_r10ds0269ej0200_memory_a_DST_20191029-3076012.pdf Hersteller: Renesas Electronics
SRAM SRAM 256KB ADV. 3V TSOP28 55NS -40TO85C
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Technische Details R1LV5256ESA-5SI#B1 Renesas Electronics

Description: IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I, Packaging: Tray, Package / Case: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 256Kbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: SRAM, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 28-TSOP I, Write Cycle Time - Word, Page: 55ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 55 ns, Memory Organization: 32K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.

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R1LV5256ESA-5SI#B1 R1LV5256ESA-5SI#B1 Hersteller : Renesas Electronics Corporation r1lv5256e-series-datasheet Description: IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I
Packaging: Tray
Package / Case: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 28-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
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Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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