R1LV0108ESF-5SI#B1 Renesas Electronics
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Technische Details R1LV0108ESF-5SI#B1 Renesas Electronics
Description: RENESAS - R1LV0108ESF-5SI#B1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 1 Mbit, 128Kword x 8 Bit, TSOP, 32 Pin(s), 2.7 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Speicherdichte: 1Mbit, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 32Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C.
Weitere Produktangebote R1LV0108ESF-5SI#B1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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R1LV0108ESF-5SI#B1 | Hersteller : Renesas Electronics America Inc |
 Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP |
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| R1LV0108ESF-5SI#B1 | Hersteller : RENESAS |
Description: RENESAS - R1LV0108ESF-5SI#B1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 1 Mbit, 128Kword x 8 Bit, TSOP, 32 Pin(s), 2.7 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherdichte: 1Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: -MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 32Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C |
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