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PZT651T1G ON Semiconductor
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Technische Details PZT651T1G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 2A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 75MHz, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 800 mW.
Weitere Produktangebote PZT651T1G nach Preis ab 0.17 EUR bis 0.92 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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PZT651T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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PZT651T1G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 75MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW |
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PZT651T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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PZT651T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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PZT651T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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PZT651T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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PZT651T1G | Hersteller : onsemi |
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PZT651T1G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 75MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW |
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PZT651T1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 2A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Anzahl der Pins: 4Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 75MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1030 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PZT651T1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 2A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Anzahl der Pins: 4Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 75MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1030 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PZT651T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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