PUMH15-QX Nexperia
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Technische Details PUMH15-QX Nexperia
Description: PUMH15-Q/SOT363/SC-88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA , 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 230MHz, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms, Supplier Device Package: 6-TSSOP, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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PUMH15-QX | Hersteller : Nexperia |
 Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP |
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PUMH15-QX | Hersteller : Nexperia |
Digital Transistors PUMH15-Q/SOT363/SC-88 |
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PUMH15-QX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PUMH15-QX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V |
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PUMH15-QX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PUMH15-QX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V |
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| PUMH15-QX | Hersteller : NEXPERIA |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin TSSOP |
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PUMH15-QX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; R1: 4.7kΩ Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 230MHz Base resistor: 4.7kΩ Application: automotive industry Base-emitter resistor: 4.7kΩ Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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| PUMH15-QX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: PUMH15-Q/SOT363/SC-88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA , 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 230MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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PUMH15-QX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; R1: 4.7kΩ Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 230MHz Base resistor: 4.7kΩ Application: automotive industry Base-emitter resistor: 4.7kΩ |
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