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PTFA210601EV4R250FTMA1 Infineon Technologies


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THERMALLY-ENHANCED HIGH POWER RF LDMOS FET
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Technische Details PTFA210601EV4R250FTMA1 Infineon Technologies

Description: RF MOSFET LDMOS 28V H-36265-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: H-36265-2, Current Rating (Amps): 10µA, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 2.14GHz, Power - Output: 12W, Gain: 16dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: H-36265-2, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 550 mA.

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PTFA210601EV4R250FTMA1 PTFA210601EV4R250FTMA1 Hersteller : Infineon Technologies PTFA210601E_F.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 28V H-36265-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: H-36265-2
Current Rating (Amps): 10µA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.14GHz
Power - Output: 12W
Gain: 16dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: H-36265-2
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 550 mA
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