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PSMQC040N10NS2_R2_00601 Panjit International Inc.
Hersteller: Panjit International Inc.
Description: 100V/ 4.4MOHM/ EXCELLECT LOW FOM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: 100V/ 4.4MOHM/ EXCELLECT LOW FOM
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Technische Details PSMQC040N10NS2_R2_00601 Panjit International Inc.
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 122A; Idm: 488A; 125W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 122A, Pulsed drain current: 488A, Power dissipation: 125W, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 6.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 53nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote PSMQC040N10NS2_R2_00601 nach Preis ab 1.68 EUR bis 3.85 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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PSMQC040N10NS2_R2_00601 | Hersteller : Panjit |
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PSMQC040N10NS2_R2_00601 | Hersteller : Panjit International Inc. |
Description: 100V/ 4.4MOHM/ EXCELLECT LOW FOM Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active |
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PSMQC040N10NS2_R2_00601 | Hersteller : PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 122A; Idm: 488A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 122A Pulsed drain current: 488A Power dissipation: 125W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 53nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PSMQC040N10NS2_R2_00601 | Hersteller : PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 122A; Idm: 488A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 122A Pulsed drain current: 488A Power dissipation: 125W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 53nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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