PSMP033-60YEX Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: PSMP033-60YE/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 30 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 10+ | 1.9 EUR |
| 12+ | 1.55 EUR |
| 100+ | 1.21 EUR |
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Technische Details PSMP033-60YEX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMP033-60YEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.026 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote PSMP033-60YEX nach Preis ab 0.94 EUR bis 2.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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PSMP033-60YEX | Hersteller : Nexperia |
MOSFET PSMP033-60YE/SOT669/LFPAK |
auf Bestellung 11929 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMP033-60YEX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMP033-60YEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.026 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1176 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMP033-60YEX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMP033-60YEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.026 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1523 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMP033-60YEX | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 60V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PSMP033-60YEX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 60V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PSMP033-60YEX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 60V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PSMP033-60YEX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMP033-60YE/SOT669/LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 30 V |
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