PSMN8R3-40YS,115 Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 20 V
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Technische Details PSMN8R3-40YS,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN8R3-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 0.0066 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote PSMN8R3-40YS,115 nach Preis ab 0.68 EUR bis 1.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||
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PSMN8R3-40YS,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 20 V |
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PSMN8R3-40YS,115 | Hersteller : Nexperia |
MOSFET PSMN8R3-40YS/SOT669/LFPAK |
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PSMN8R3-40YS,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN8R3-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 0.0066 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3258 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN8R3-40YS,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN8R3-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 0.0066 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3258 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN8R3-40YS,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 70A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R3-40YS,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 274A; 74W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Pulsed drain current: 274A Power dissipation: 74W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| PSMN8R3-40YS,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 274A; 74W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Pulsed drain current: 274A Power dissipation: 74W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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