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PSMN6R8-40HSX

PSMN6R8-40HSX Nexperia

PSMN6R8_40HS-3051887.pdf Hersteller: Nexperia
MOSFET PSMN6R8-40HS/SOT1205/LFPAK56D
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Technische Details PSMN6R8-40HSX Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN6R8-40HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0058 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0058ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 64W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 64W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PSMN6R8-40HSX PSMN6R8-40HSX Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN6R8-40HS.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1947pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
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PSMN6R8-40HSX PSMN6R8-40HSX Hersteller : NEXPERIA 3791102.pdf Description: NEXPERIA - PSMN6R8-40HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0058 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0058ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PSMN6R8-40HSX PSMN6R8-40HSX Hersteller : NEXPERIA 3791102.pdf Description: NEXPERIA - PSMN6R8-40HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0058 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0058ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PSMN6R8-40HSX PSMN6R8-40HSX Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN6R8-40HS.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1947pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
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