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Technische Details PSMN6R7-40MSDX Nexperia
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 50A; Idm: 282A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: NextPowerS3, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 50A, Pulsed drain current: 282A, Power dissipation: 65W, Case: LFPAK33; SOT1210, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 13mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 22nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote PSMN6R7-40MSDX
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| PSMN6R7-40MSDX | Hersteller : NEXPERIA |
 Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin LFPAK EP T/R |
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| PSMN6R7-40MSDX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 50A; Idm: 282A Type of transistor: N-MOSFET Technology: NextPowerS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Pulsed drain current: 282A Power dissipation: 65W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| PSMN6R7-40MSDX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V LFPAK33 |
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| PSMN6R7-40MSDX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 50A; Idm: 282A Type of transistor: N-MOSFET Technology: NextPowerS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Pulsed drain current: 282A Power dissipation: 65W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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