PSMN5R0-80PS,127 Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6793 pF @ 12 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 4+ | 5.1 EUR |
| 10+ | 4.29 EUR |
| 100+ | 3.47 EUR |
| 500+ | 3.08 EUR |
| 1000+ | 2.64 EUR |
| 2000+ | 2.49 EUR |
| 5000+ | 2.39 EUR |
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Technische Details PSMN5R0-80PS,127 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN5R0-80PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0037 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 270W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote PSMN5R0-80PS,127 nach Preis ab 3.66 EUR bis 5.86 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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PSMN5R0-80PS,127 | Hersteller : Nexperia |
MOSFET PSMN5R0-80PS/SOT78/SIL3P |
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PSMN5R0-80PS,127 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN5R0-80PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0037 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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| PSMN5R0-80PS,127 | Hersteller : NEXPERIA |
PSMN5R0-80PS.127 THT N channel transistors |
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