Produkte > NEXPERIA > PSMN3R2-40YLDX
PSMN3R2-40YLDX

PSMN3R2-40YLDX Nexperia

PSMN3R2_40YLD-2939061.pdf Hersteller: Nexperia
MOSFETs PSMN3R2-40YLD/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 15010 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+1.49 EUR
10+ 1.28 EUR
100+ 0.89 EUR
500+ 0.74 EUR
1000+ 0.7 EUR
9000+ 0.68 EUR
24000+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details PSMN3R2-40YLDX Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN3R2-40YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0029 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 115W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: SOT-669, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Weitere Produktangebote PSMN3R2-40YLDX

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
PSMN3R2-40YLDX PSMN3R2-40YLDX Hersteller : NEXPERIA 2860324.pdf Description: NEXPERIA - PSMN3R2-40YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0029 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2876 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PSMN3R2-40YLDX PSMN3R2-40YLDX Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN3R2-40YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4103 pF @ 20 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
PSMN3R2-40YLDX PSMN3R2-40YLDX Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN3R2-40YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4103 pF @ 20 V
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
PSMN3R2-40YLDX PSMN3R2-40YLDX Hersteller : NEXPERIA 2860324.pdf Description: NEXPERIA - PSMN3R2-40YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0029 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: SOT-669
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PSMN3R2-40YLDX Hersteller : NEXPERIA psmn3r2-40yld.pdf N-Channel 40 V, 120 A logic level MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
PSMN3R2-40YLDX PSMN3R2-40YLDX Hersteller : Nexperia psmn3r2-40yld.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
PSMN3R2-40YLDX Hersteller : NEXPERIA PSMN3R2-40YLD.pdf PSMN3R2-40YLDX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar