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PSMN2R0-30PL,127 NEXPERIA
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Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 211W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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23+ | 3.1 EUR |
250+ | 2 EUR |
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Technische Details PSMN2R0-30PL,127 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN2R0-30PL,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0017 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 211W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote PSMN2R0-30PL,127 nach Preis ab 1.97 EUR bis 4.52 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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PSMN2R0-30PL,127 | Hersteller : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 211W; SOT78,TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 211W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: THT Gate charge: 117nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN2R0-30PL,127 | Hersteller : Nexperia |
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auf Bestellung 2588 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN2R0-30PL,127 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 211W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6810 pF @ 12 V |
auf Bestellung 9193 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN2R0-30PL,127 | Hersteller : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 211W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 7819 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN2R0-30PL,127 | Hersteller : Nexperia |
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PSMN2R0-30PL,127 | Hersteller : Nexperia |
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