auf Bestellung 3459 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 9.89 EUR |
| 10+ | 8.48 EUR |
| 25+ | 8.18 EUR |
| 100+ | 6.48 EUR |
| 500+ | 5.76 EUR |
| 1000+ | 4.95 EUR |
| 2000+ | 4.65 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details PSMN1R9-80SSEJ Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN1R9-80SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 0.0016 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 286A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340W, Bauform - Transistor: LFPAK88, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote PSMN1R9-80SSEJ nach Preis ab 8 EUR bis 11.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN1R9-80SSEJ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
 Description: APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFEPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1235 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 286A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 340W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17140 pF @ 40 V |
auf Bestellung 417 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
PSMN1R9-80SSEJ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R9-80SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 0.0016 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 286A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 340W Bauform - Transistor: LFPAK88 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 722 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
|
|
PSMN1R9-80SSEJ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R9-80SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 0.0016 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 722 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
| PSMN1R9-80SSEJ | Hersteller : NEXPERIA |
N-Channel 80 V, 1.9 mOhm MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||
| PSMN1R9-80SSEJ | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 202A; Idm: 1142A; 340W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 202A Pulsed drain current: 1142A Power dissipation: 340W Case: LFPAK88; SOT1235 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 232nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||
|
|
PSMN1R9-80SSEJ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1235 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 286A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 340W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17140 pF @ 40 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
| PSMN1R9-80SSEJ | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 202A; Idm: 1142A; 340W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 202A Pulsed drain current: 1142A Power dissipation: 340W Case: LFPAK88; SOT1235 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 232nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |