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PSMN0R7-25YLDX

PSMN0R7-25YLDX Nexperia

505677129160163psmn0r7-25yld.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 25V 300A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Technische Details PSMN0R7-25YLDX Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN0R7-25YLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 300 A, 570 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 158W, Bauform - Transistor: SOT-1023, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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PSMN0R7-25YLDX PSMN0R7-25YLDX Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN0R7-25YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 12 V
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PSMN0R7-25YLDX PSMN0R7-25YLDX Hersteller : Nexperia 505677129160163psmn0r7-25yld.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 300A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN0R7-25YLDX PSMN0R7-25YLDX Hersteller : Nexperia PSMN0R7_25YLD-1544653.pdf MOSFET PSMN0R7-25YLD/SOT1023/4 LEADS
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PSMN0R7-25YLDX PSMN0R7-25YLDX Hersteller : Nexperia 505677129160163psmn0r7-25yld.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 300A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN0R7-25YLDX PSMN0R7-25YLDX Hersteller : Nexperia 505677129160163psmn0r7-25yld.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 300A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN0R7-25YLDX PSMN0R7-25YLDX Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN0R7-25YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 12 V
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PSMN0R7-25YLDX PSMN0R7-25YLDX Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003101024-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN0R7-25YLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 300 A, 570 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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PSMN0R7-25YLDX PSMN0R7-25YLDX Hersteller : NEXPERIA PSMN0R7-25YLD.pdf Description: NEXPERIA - PSMN0R7-25YLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 300 A, 570 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
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PSMN0R7-25YLDX PSMN0R7-25YLDX Hersteller : NEXPERIA 505677129160163psmn0r7-25yld.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 300A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN0R7-25YLDX PSMN0R7-25YLDX Hersteller : NEXPERIA PSMN0R7-25YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 235A; 158W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.47mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 158W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 235A
Gate charge: 110.2nC
Drain-source voltage: 25V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN0R7-25YLDX PSMN0R7-25YLDX Hersteller : Nexperia 505677129160163psmn0r7-25yld.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 300A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN0R7-25YLDX PSMN0R7-25YLDX Hersteller : NEXPERIA PSMN0R7-25YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 235A; 158W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.47mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 158W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 235A
Gate charge: 110.2nC
Drain-source voltage: 25V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
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