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Technische Details PSMN059-150Y,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN059-150Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.046 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 113W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote PSMN059-150Y,115 nach Preis ab 0.62 EUR bis 1.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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PSMN059-150Y,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 150V 43A LFPAK56Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1529 pF @ 30 V |
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PSMN059-150Y,115 | Hersteller : Nexperia |
MOSFET PSMN059-150Y/SOT669/LFPAK |
auf Bestellung 3084 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN059-150Y,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 892 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN059-150Y,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 150V 43A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1529 pF @ 30 V |
auf Bestellung 9892 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN059-150Y,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN059-150Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.046 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 113W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2628 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN059-150Y,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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PSMN059-150Y,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN059-150Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.046 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 113W Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm |
auf Bestellung 4200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN059-150Y,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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| PSMN059-150Y,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; Idm: 129A; 113W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 43A Pulsed drain current: 129A Power dissipation: 113W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 101mΩ Mounting: SMD Gate charge: 27.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PSMN059-150Y,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| PSMN059-150Y,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; Idm: 129A; 113W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 43A Pulsed drain current: 129A Power dissipation: 113W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 101mΩ Mounting: SMD Gate charge: 27.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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