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PSMN025-100HSX

PSMN025-100HSX Nexperia

PSMN025_100HS-3051892.pdf Hersteller: Nexperia
MOSFET PSMN025-100HS/SOT1205/LFPAK56D
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Technische Details PSMN025-100HSX Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN025-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 29.5 A, 29.5 A, 0.0195 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29.5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 29.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 29.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0195ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 68W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0195ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 68W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PSMN025-100HSX PSMN025-100HSX Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN025-100HS.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 29.5A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
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PSMN025-100HSX PSMN025-100HSX Hersteller : NEXPERIA 3791089.pdf Description: NEXPERIA - PSMN025-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 29.5 A, 29.5 A, 0.0195 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 29.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 29.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0195ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0195ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1520 Stücke:
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PSMN025-100HSX PSMN025-100HSX Hersteller : NEXPERIA 3791089.pdf Description: NEXPERIA - PSMN025-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 29.5 A, 29.5 A, 0.0195 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 29.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 29.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0195ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0195ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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PSMN025-100HSX PSMN025-100HSX Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN025-100HS.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 29.5A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
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