![PSMN018-100ESFQ PSMN018-100ESFQ](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/c3291118076ff29ad24b013d98c6f1aa4de36430/sot226_3d.jpg)
auf Bestellung 1011 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
381+ | 0.41 EUR |
387+ | 0.39 EUR |
393+ | 0.37 EUR |
399+ | 0.35 EUR |
500+ | 0.33 EUR |
1000+ | 0.31 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details PSMN018-100ESFQ Nexperia
Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 53A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 111W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: I2PAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1482 pF @ 50 V.
Weitere Produktangebote PSMN018-100ESFQ nach Preis ab 0.29 EUR bis 0.94 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PSMN018-100ESFQ | Hersteller : Nexperia |
![]() |
auf Bestellung 1011 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PSMN018-100ESFQ | Hersteller : Nexperia |
![]() |
auf Bestellung 4980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PSMN018-100ESFQ | Hersteller : NEXPERIA |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||
PSMN018-100ESFQ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 111W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: I2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1482 pF @ 50 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||||
![]() |
PSMN018-100ESFQ | Hersteller : Nexperia |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |