PSMN015-60BS,118 Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 30 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 800+ | 1.26 EUR |
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| 2400+ | 0.97 EUR |
| 5600+ | 0.92 EUR |
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Technische Details PSMN015-60BS,118 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN015-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0126 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 86W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote PSMN015-60BS,118 nach Preis ab 0.9 EUR bis 2.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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PSMN015-60BS,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 201A; 86W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A Pulsed drain current: 201A Power dissipation: 86W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 767 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN015-60BS,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 201A; 86W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A Pulsed drain current: 201A Power dissipation: 86W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 767 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN015-60BS,118 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 30 V |
auf Bestellung 12473 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN015-60BS,118 | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs PSMN015-60BS/SOT404/D2PAK |
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PSMN015-60BS,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN015-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0126 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 86W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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PSMN015-60BS,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN015-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0126 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 86W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3362 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN015-60BS,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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PSMN015-60BS,118 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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PSMN015-60BS,118 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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