auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 800+ | 1.11 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details PSMN012-80BS,118 Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN012-80BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.009 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 74A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 148W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote PSMN012-80BS,118 nach Preis ab 1.11 EUR bis 2.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMN012-80BS,118 | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN012-80BS,118 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN012-80BS,118 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 74A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 148W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 12 V |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN012-80BS,118 | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs PSMN012-80BS/SOT404/D2PAK |
auf Bestellung 5482 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN012-80BS,118 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 74A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 148W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 12 V |
auf Bestellung 5020 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN012-80BS,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
PSMN012-80BS,118 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
 |
PSMN012-80BS,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN012-80BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.009 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 148W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
| PSMN012-80BS,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 74A; Idm: 295A; 148W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 74A Pulsed drain current: 295A Power dissipation: 148W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 43nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
| PSMN012-80BS,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 74A; Idm: 295A; 148W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 74A Pulsed drain current: 295A Power dissipation: 148W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 43nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |