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Technische Details PSMN012-60YS,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN012-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 59 A, 0.008 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 59A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote PSMN012-60YS,115 nach Preis ab 0.45 EUR bis 1.78 EUR
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Verfügbarkeit |
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PSMN012-60YS,115 | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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PSMN012-60YS,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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PSMN012-60YS,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 28500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN012-60YS,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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PSMN012-60YS,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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PSMN012-60YS,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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PSMN012-60YS,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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PSMN012-60YS,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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PSMN012-60YS,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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PSMN012-60YS,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1685 pF @ 30 V |
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PSMN012-60YS,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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PSMN012-60YS,115 | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs PSMN012-60YS/SOT669/LFPAK |
auf Bestellung 33069 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN012-60YS,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1685 pF @ 30 V |
auf Bestellung 4004 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN012-60YS,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN012-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 59 A, 0.008 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 693 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN012-60YS,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 28500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN012-60YS,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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PSMN012-60YS,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 89W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Power dissipation: 89W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 28.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PSMN012-60YS,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 89W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Power dissipation: 89W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 28.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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