![PMPB14R8XNX PMPB14R8XNX](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/761/MFG_6-DFN2020MD_View-2.jpg)
PMPB14R8XNX Nexperia USA Inc.
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Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR PORTABL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 7.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
auf Bestellung 1290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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22+ | 0.81 EUR |
28+ | 0.64 EUR |
100+ | 0.38 EUR |
500+ | 0.35 EUR |
1000+ | 0.24 EUR |
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Technische Details PMPB14R8XNX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMPB14R8XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.0148 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: DFN2020M, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote PMPB14R8XNX nach Preis ab 0.19 EUR bis 0.82 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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PMPB14R8XNX | Hersteller : Nexperia |
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auf Bestellung 2818 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PMPB14R8XNX | Hersteller : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: DFN2020M Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMPB14R8XNX | Hersteller : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: DFN2020M Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMPB14R8XNX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 7.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 18W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020M-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V |
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