PMN40SNAX

PMN40SNAX Nexperia USA Inc.


PMN40SNA.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 4.7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 453 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details PMN40SNAX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 4.7A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74, SOT-457, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 453 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

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PMN40SNAX PMN40SNAX Hersteller : Nexperia PMN40SNA-1839910.pdf MOSFET PMN40SNA/SOT457/SC-74
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PMN40SNAX PMN40SNAX Hersteller : Nexperia USA Inc. PMN40SNA.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4.7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 453 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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PMN40SNAX PMN40SNAX Hersteller : NEXPERIA 3998674.pdf Description: NEXPERIA - PMN40SNAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.029 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
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PMN40SNAX PMN40SNAX Hersteller : NEXPERIA 3998674.pdf Description: NEXPERIA - PMN40SNAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.029 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
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PMN40SNAX PMN40SNAX Hersteller : NEXPERIA PMN40SNA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 3A; Idm: 19A
Mounting: SMD
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Kind of package: reel; tape
Technology: Trench
On-state resistance: 76mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 19A
Drain current: 3A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
PMN40SNAX PMN40SNAX Hersteller : NEXPERIA PMN40SNA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 3A; Idm: 19A
Mounting: SMD
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Kind of package: reel; tape
Technology: Trench
On-state resistance: 76mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 19A
Drain current: 3A
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