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Technische Details PMDXB600UNELZ Nexperia
Description: NEXPERIA - PMDXB600UNELZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.47 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.47ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 380mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN1010B, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Trench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.47ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 380mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote PMDXB600UNELZ nach Preis ab 0.14 EUR bis 0.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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PMDXB600UNELZ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 380mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1010B-6 Part Status: Active |
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PMDXB600UNELZ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMDXB600UNELZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.47 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.47ohm Verlustleistung, p-Kanal: 380mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN1010B Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.47ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 380mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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PMDXB600UNELZ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMDXB600UNELZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.47 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.47ohm Verlustleistung, p-Kanal: 380mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN1010B Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.47ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 380mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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| PMDXB600UNELZ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMDXB600UNELZ - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
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| PMDXB600UNELZ | Hersteller : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.4A Pulsed drain current: 2.5A Case: DFN1010B-6; SOT1216 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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PMDXB600UNELZ | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 6-Pin DFN-B EP T/R |
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PMDXB600UNELZ | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 6-Pin DFN-B EP T/R |
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PMDXB600UNELZ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 380mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1010B-6 Part Status: Active |
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| PMDXB600UNELZ | Hersteller : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.4A Pulsed drain current: 2.5A Case: DFN1010B-6; SOT1216 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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