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Technische Details PMDXB1200UPEZ Nexperia
Description: NEXPERIA - PMDXB1200UPEZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 410 mA, 410 mA, 1.2 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 285mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN1010B, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 285mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote PMDXB1200UPEZ nach Preis ab 0.23 EUR bis 0.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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PMDXB1200UPEZ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 285mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1010B-6 Part Status: Active |
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PMDXB1200UPEZ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMDXB1200UPEZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 410 mA, 410 mA, 1.2 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 285mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN1010B Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 285mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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PMDXB1200UPEZ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMDXB1200UPEZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 410 mA, 410 mA, 1.2 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 285mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN1010B Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 285mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMDXB1200UPEZ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMDXB1200UPEZ - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
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PMDXB1200UPEZ | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 30V 410A 6-Pin DFN-B EP T/R |
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| PMDXB1200UPEZ | Hersteller : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; Trench; unipolar; -30V; -260mA; Idm: -1.7A Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -260mA Pulsed drain current: -1.7A Case: DFN1010B-6; SOT1216 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 2.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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PMDXB1200UPEZ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 285mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1010B-6 Part Status: Active |
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| PMDXB1200UPEZ | Hersteller : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; Trench; unipolar; -30V; -260mA; Idm: -1.7A Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -260mA Pulsed drain current: -1.7A Case: DFN1010B-6; SOT1216 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 2.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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