![PMDT290UNE,115 PMDT290UNE,115](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/392/SOT666.jpg)
PMDT290UNE,115 Nexperia USA Inc.
![PMDT290UNE.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
4000+ | 0.17 EUR |
8000+ | 0.16 EUR |
12000+ | 0.15 EUR |
28000+ | 0.14 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details PMDT290UNE,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMDT290UNE,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.29 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote PMDT290UNE,115 nach Preis ab 0.083 EUR bis 0.76 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PMDT290UNE,115 | Hersteller : Nexperia |
![]() |
auf Bestellung 31655 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMDT290UNE,115 | Hersteller : Nexperia |
![]() |
auf Bestellung 31655 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMDT290UNE,115 | Hersteller : Nexperia |
![]() |
auf Bestellung 112884 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMDT290UNE,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 100123 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMDT290UNE,115 | Hersteller : Nexperia |
![]() |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
PMDT290UNE,115 | Hersteller : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 770 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
PMDT290UNE,115 | Hersteller : Nexperia |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
![]() |
PMDT290UNE,115 | Hersteller : NEXPERIA |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
PMDT290UNE,115 | Hersteller : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 3.2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 3.2A Power dissipation: 0.5W Case: SOT666 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 610mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.68nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
PMDT290UNE,115 | Hersteller : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 3.2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 3.2A Power dissipation: 0.5W Case: SOT666 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 610mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.68nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |