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PMCM650CUNEZ

PMCM650CUNEZ NEXPERIA


PMCM650CUNE.pdf Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMCM650CUNEZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: -V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -A
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556mW
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm
auf Bestellung 1976 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details PMCM650CUNEZ NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PMCM650CUNEZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, WLCSP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: -V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 556mW, Bauform - Transistor: WLCSP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm.

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PMCM650CUNEZ PMCM650CUNEZ Hersteller : NEXPERIA PMCM650CUNE.pdf Description: NEXPERIA - PMCM650CUNEZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, WLCSP, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm
auf Bestellung 1976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PMCM650CUNEZ PMCM650CUNEZ Hersteller : NEXPERIA PMCM650CUNE.pdf Description: NEXPERIA - PMCM650CUNEZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 105715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PMCM650CUNEZ Hersteller : Nexperia USA Inc. PMCM650CUNE.pdf Description: MOSFET 2N-CH 6WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 556mW (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.48x0.98)
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
19+0.93 EUR
22+ 0.82 EUR
100+ 0.57 EUR
500+ 0.47 EUR
1000+ 0.4 EUR
2000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 19
PMCM650CUNEZ PMCM650CUNEZ Hersteller : NEXPERIA pmcm650cune.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 6-Pin WLCSP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
PMCM650CUNEZ Hersteller : NEXPERIA PMCM650CUNE.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 20V; 2.6A; Idm: 16A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Case: WLCSP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 71mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: common drain
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 4500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
PMCM650CUNEZ Hersteller : Nexperia USA Inc. PMCM650CUNE.pdf Description: MOSFET 2N-CH 6WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 556mW (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.48x0.98)
Produkt ist nicht verfügbar
PMCM650CUNEZ PMCM650CUNEZ Hersteller : Nexperia PMCM650CUNE-1319480.pdf MOSFET PMCM650CUNE/NAX000/NONE
Produkt ist nicht verfügbar
PMCM650CUNEZ Hersteller : NEXPERIA PMCM650CUNE.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 20V; 2.6A; Idm: 16A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Case: WLCSP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 71mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: common drain
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Produkt ist nicht verfügbar