PMCM6501VNEZ Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 12V 7.3A 6WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 556mW (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.48x0.98)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 6 V
Description: MOSFET N-CH 12V 7.3A 6WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 556mW (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.48x0.98)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 6 V
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Technische Details PMCM6501VNEZ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMCM6501VNEZ - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 12 V, 7.3 A, 0.015 ohm, WLCSP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 556mW, Bauform - Transistor: WLCSP, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote PMCM6501VNEZ
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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PMCM6501VNEZ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMCM6501VNEZ - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 12 V, 7.3 A, 0.015 ohm, WLCSP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 556mW Bauform - Transistor: WLCSP Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMCM6501VNEZ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMCM6501VNEZ - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 12 V, 7.3 A, 0.015 ohm, WLCSP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 556mW Bauform - Transistor: WLCSP Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMCM6501VNEZ | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 12V; 4.6A; Idm: 29A; WLCSP6 Drain-source voltage: 12V Drain current: 4.6A Case: WLCSP6 Polarisation: unipolar On-state resistance: 25mΩ Pulsed drain current: 29A Technology: Trench Kind of channel: enhanced Gate charge: 24nC Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 4500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PMCM6501VNEZ | Hersteller : NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 12V 9.6A 6-Pin WLCSP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PMCM6501VNEZ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 12V 7.3A 6WLCSP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 556mW (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.48x0.98) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 6 V |
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PMCM6501VNEZ | Hersteller : Nexperia | MOSFET PMCM6501VNE/NAX000/NONE |
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PMCM6501VNEZ | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 12V; 4.6A; Idm: 29A; WLCSP6 Drain-source voltage: 12V Drain current: 4.6A Case: WLCSP6 Polarisation: unipolar On-state resistance: 25mΩ Pulsed drain current: 29A Technology: Trench Kind of channel: enhanced Gate charge: 24nC Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET |
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