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PMBT5551-QR

PMBT5551-QR Nexperia

PMBT5551_Q-3002736.pdf Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT PMBT5551-Q/SOT323/SC-70
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Technische Details PMBT5551-QR Nexperia

Description: TRANS NPN 160V 0.3A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 250 mW, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PMBT5551-QR PMBT5551-QR Hersteller : Nexperia USA Inc. PMBT5551-Q.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.3A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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PMBT5551-QR PMBT5551-QR Hersteller : Nexperia pmbt5551-q.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PMBT5551-QR Hersteller : NEXPERIA pmbt5551-q.pdf PMBT5551-Q/SOT323/SC-70
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Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
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